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消除不銹鋼砝碼上的“亮點(diǎn)“
點(diǎn)擊次數(shù):722 更新時(shí)間:2022-03-02

消除不銹鋼砝碼上的"亮點(diǎn)"

  對(duì)于不銹鋼砝碼是經(jīng)過(guò)拋光工藝后,表面呈鏡面且無(wú)任何斑點(diǎn)等.前段時(shí)期,該產(chǎn)品的表面上曾出現(xiàn)了不同程度的“亮點(diǎn)"狀,其分布沒(méi)有規(guī)律,長(zhǎng)度般在0.3~10mm,深度約為0.3~1mm,同時(shí)表面上還有紫銅色光帶和光環(huán),有時(shí)在光環(huán)中還夾有熔渣(我們將這種稱之為亮點(diǎn))。由于亮點(diǎn)而報(bào)廢的鑄件占廢品總數(shù)的60%左右,如何解決亮點(diǎn)問(wèn)題是生產(chǎn)的當(dāng)務(wù)之急。為此,行了技術(shù)攻關(guān),收到了的效果,使亮點(diǎn)下降到5 %以下。


、不銹鋼砝碼上的"亮點(diǎn)" 攻關(guān)中采用的試驗(yàn)手段及過(guò)程:

1、試驗(yàn)手段;

我們使用的是GGW- -0.15型無(wú)芯中頻感應(yīng)電爐:爐襯材料為堿性;:型殼采用硅酸乙酯粘結(jié)劑,: 前兩層撒剛玉砂、加固

層撒鋁釩土砂;澆注方式為重力澆注法。

2、試驗(yàn)過(guò)程;

先,對(duì)亮點(diǎn)的化學(xué)成分作了電子探針?lè)治?lt;如圖所示)。

根據(jù)資料介紹,這種Al2O。和SiO。的不均勻分布是由于鋼水在澆注和凝固過(guò)程中的二次氧化造成。為了盡量減少鋼水的二次氧化,我們采取了在澆注和凝固過(guò)程中制造還原性氣銀的方法,但效果不明顯。

于是,我們對(duì)Al、Si的來(lái)源作了仔細(xì)分析,認(rèn)為Al,O. Sio除有可能是二次氧化形成外,鋼水的脫氧產(chǎn)物以及硅酸乙酯的不*水解析出物均有可能形成。我們從鋼水的脫氧制度開(kāi)始行試驗(yàn)。據(jù)有關(guān)資料介紹,美431.不銹鋼,這種鐵索體馬氏體不銹鋼的州氧工藝為: s.預(yù)說(shuō)氧:爐底加入0.2%的金屬錳。6.擴(kuò)散脫氧;鋼水溫度達(dá)到1560~15809C時(shí),扒渣,加入0.1%的硅鈣合金(混入熔劑中)行精練,c.沉淀影氧:當(dāng)溫度達(dá)到1600~1620*C時(shí),加入0.2%的結(jié)晶硅2~3min后,加入0. 29%的鋁塊作終脫氧。d.最后在內(nèi)加入0.1%的硅鈣粉作內(nèi)兒氧,然后澆生。如果亮點(diǎn)是由于.氧造成,就只可能是脫氧劑不均勻或脫鼠產(chǎn)物上浮時(shí)間不夠。因此,為使就氧產(chǎn)物導(dǎo)快均勻及上浮。我們先將結(jié)晶碇和純鋁的懸分別減少到0.1%,并增長(zhǎng)爐內(nèi)停電靜止時(shí)間,效果也不明顯。

最后。我們將用于內(nèi)妝氣的儲(chǔ)鈣合金取縮,同時(shí)增加內(nèi)靜置時(shí)間,亮點(diǎn)終于降到5 %以下。


二、分析:

1.當(dāng)鋼水在澆注和凝固時(shí),空氣中量的氧會(huì)使Si、Mn、Fe等元案再- -次氣化,使.鋼水中的FeO、SiO。MnO蛋增加,造成鑄件表面夾渣。但是在鋼中,二次氧化過(guò)程在較高的溫度時(shí)就停止了,.因此。二次氯化迨成亮點(diǎn)的最是有限的。

2、Al、Si均是脫氧元素,其脫氧反應(yīng)如下:ζSi]+ 2CFeO]≠2CFe]+( SiO, ) .2[AI]+.3[FeO]= 3[Fe]+(A1,O,)SiO和Al2O,的熔點(diǎn)均較高,只有在A1、Si加入量很低時(shí),才能與FeO形成低熔點(diǎn)的以氧產(chǎn)物,若加入組稍多,鋼水中就會(huì)出現(xiàn)細(xì)小的固態(tài)政氧產(chǎn)物SiO、、A1.O。. 因此,應(yīng)該嚴(yán)格控制Si、AI的加入量。

3,殖鈣合金<SiCa28) 中Si是視氧元素,Ca可以加Si的脫氧作用,但由于鋼水在中的停留時(shí)間有限,Si-Cai氧形 成的SiO2. A1,O, 等細(xì)小的產(chǎn)物還未來(lái)搏及浮出能水表面上就被澆入俯型中,而在凝圍過(guò)程中出現(xiàn)在表面上,于是就形成了亮點(diǎn)。


三、結(jié)論:

1、錒水的二次氧化不是造成亮點(diǎn)的主要因素。

2、脫氧劑結(jié)晶娃和純鋁可分別堿少到0.1~9.15%。

3、對(duì)于150kg分澆注的爐子,澆內(nèi)不必再1SiC a粉冼行脫氧。


 
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